«Эс-Кей Хайникс» начала массовое производство HBM3E — первой в мире памяти пятого поколения с высокой пропускной способностью для ИИ

«Эс-Кей Хайникс» (SK hynix Inc.) начала массовое производство новейших чипов памяти с высокой пропускной способностью (HBM) — HBM3E, став первым в мире поставщиком этого продукта и укрепив свои позиции в сегменте высокопроизводительных полупроводниковых чипов памяти для искусственного интеллекта. Южнокорейский производитель, выступающий крупным поставщиком «Энвидиа» (Nvidia Corp.), отметил, что HBM3E создан на основе лучших по быстродействию чипов DRAM и обеспечивает рекордные в отрасли скорость и отвод тепла для систем ИИ.

Корпуса многослойной памяти рядом с инспекционным микроскопом

Первый в отрасли HBM3E выходит на массовое производство

19 марта 2024 года «Эс-Кей Хайникс» (SK hynix) объявила о начале массового производства памяти пятого поколения HBM3E — спустя семь месяцев после того, как в августе компания раскрыла разработку этого продукта. По её словам, она стала первым в мире поставщиком HBM3E, а серийный выпуск позволит развить прежний коммерческий успех предыдущего поколения HBM3. Память HBM известна вертикальным соединением нескольких чипов DRAM: такая конструкция существенно повышает скорость обработки данных и делает HBM незаменимым компонентом памяти для систем искусственного интеллекта, таких как ChatGPT от «ОпенАй» (OpenAI).

Производительность, рассчитанная на задачи ИИ

В «Эс-Кей Хайникс» (SK hynix) заявили, что новый HBM3E — лучший в отрасли по всем параметрам, требуемым от памяти для ИИ, включая скорость и управление нагревом. Продукт обрабатывает до 1,18 терабайта данных в секунду, что, по описанию компании, эквивалентно обработке более 230 фильмов в формате Full HD объёмом 5 гигабайт каждый за одну секунду.

Первое в мире массовое производство HBM3E — памяти с высокой пропускной способностью пятого поколения — объявлено 19 марта 2024 года.
Разработку HBM3E компания раскрыла в августе, за семь месяцев до старта серийного выпуска.
Чипы созданы на основе лучших по быстродействию кристаллов DRAM и развивают успех предыдущего поколения HBM3.
Пропускная способность — до 1,18 терабайта данных в секунду.
Эквивалент обработки более 230 фильмов в формате Full HD объёмом 5 гигабайт каждый за одну секунду.
Вертикальное соединение нескольких кристаллов DRAM ускоряет обработку данных в системах ИИ.

Поставщик в цепочке производства полупроводников для ИИ

«Эс-Кей Хайникс» (SK hynix) выступает крупным поставщиком «Энвидиа» (Nvidia Corp.), американского лидера в области полупроводников для искусственного интеллекта, что встраивает южнокорейского производителя в цепочку поставок, стоящую за современными ускорителями ИИ и оборудованием дата-центров. Перевод HBM3E в серийное производство позволяет компании превратить раннее лидерство в высокопропускной памяти в более широкую роль на рынке памяти для ИИ.

Комментарий руководства

«Благодаря истории успеха бизнеса HBM и прочному партнёрству с заказчиками, которое компания выстраивала годами, „Эс-Кей Хайникс“ укрепит свои позиции как комплексный поставщик памяти для ИИ», — заявил Рю Сон Су (Ryoo Sung-soo), руководитель направления HBM в «Эс-Кей Хайникс» (SK hynix).